光刻機(Mask Aligner) 又名:掩模對準曝光機,曝光系統,光刻系統等。常用的光刻機是掩膜對準光刻,所以叫 Mask Alignment System。
一般的光刻工藝要經歷矽片表面清洗烘乾、塗底、旋塗光刻膠、軟烘、對準曝光、後烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。
Photolithography(光刻) 意思是用光來製作一個圖形(工藝);
在矽片表面勻膠,然後將掩模版上的圖形轉移光刻膠上的過程將器件或電路結構臨時“複製”到矽片上的過程。
分類
光刻機一般根據操作的簡便性分為三種,手動、半自動、全自動
A 手動:指的是對準的調節方式,是通過手調旋鈕改變它的X軸,Y軸和thita角度來完成對準,對準精度可想而知不高了;
B 半自動:指的是對準可以通過電動軸根據CCD的進行定位調諧;
C 自動: 指的是 從基板的上載下載,曝光時長和迴圈都是通過程式控制,自動光刻機主要是滿足工廠對於處理量的需要。