光刻機是誰發明的

光刻機是法國人Nicephore niepce（尼埃普斯）發明的，起初是Nicephore niepce發現了一種能夠刻在油紙上的印痕，當其出現在了玻璃片上後，經過一段時間的暴晒，透光的部分就會變得很硬，但是在不透光的部分可以用松香和植物油將其洗掉。

光刻機（lithography）又名：掩模對準曝光機，曝光系統，光刻系統等，是製造晶片的核心裝備。它採用類似照片沖印的技術，把掩膜版上的精細圖形通過光線的曝光印製到矽片上。光刻機的主要效能指標有：支援基片的尺寸範圍，解析度、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產效率等。解析度是對光刻工藝加工可以達到的最細線條精度的一種描述方式。光刻的解析度受受光源衍射的限制,所以與光源、光刻系統、光刻膠和工藝等各方面的限制。對準精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度。曝光方式分為接觸接近式、投影式和直寫式。曝光光源波長分為紫外、深紫外和極紫外區域，光源有汞燈，準分子鐳射器等。