光刻機是什麼

光刻機又名掩模對準曝光機、曝光系統、光刻系統等，是製造晶片的核心裝備。它採用類似照片沖印的技術，把掩膜版上的精細圖形通過光線的曝光印製到矽片上。光刻機的種類可分為：接觸式曝光、接近式曝光、投影式曝光。

光刻機是幹什麼用的，工作原理是什麼？

一、用途

光刻機是晶片製造的核心裝置之一，按照用途可以分為好幾種：有用於生產晶片的光刻機；有用於封裝的光刻機；還有用於LED製造領域的投影光刻機。

用於生產晶片的光刻機是中國在半導體裝置製造上最大的短板，國內晶圓廠所需的高階光刻機完全依賴進口，本次廈門企業從荷蘭進口的光刻機就是用於晶片生產的裝置。

二、工作原理

在加工晶片的過程中，光刻機通過一系列的光源能量、形狀控制手段，將光束透射過畫著線路圖的掩模，經物鏡補償各種光學誤差，將線路圖成比例縮小後對映到矽片上，然後使用化學方法顯影，得到刻在矽片上的電路圖。

一般的光刻工藝要經歷矽片表面清洗烘乾、塗底、旋塗光刻膠、軟烘、對準曝光、後烘、顯影、硬烘、鐳射刻蝕等工序。經過一次光刻的晶片可以繼續塗膠、曝光。越複雜的晶片，線路圖的層數越多，也需要更精密的曝光控制過程。

擴充套件資料

光刻機的結構：

1、測量臺、曝光臺：是承載矽片的工作臺。

2、鐳射器：也就是光源，光刻機核心裝置之一。

3、光束矯正器：矯正光束入射方向，讓鐳射束儘量平行。

4、能量控制器：控制最終照射到矽片上的能量，曝光不足或過足都會嚴重影響成像質量。

5、光束形狀設定：設定光束為圓型、環型等不同形狀，不同的光束狀態有不同的光學特性。

6、遮光器：在不需要曝光的時候，阻止光束照射到矽片。

7、能量探測器：檢測光束最終入射能量是否符合曝光要求，並反饋給能量控制器進行調整。

8、掩模版：一塊在內部刻著線路設計圖的玻璃板，貴的要數十萬美元。

9、掩膜臺：承載掩模版運動的裝置，運動控制精度是nm級的。

10、物鏡：物鏡用來補償光學誤差，並將線路圖等比例縮小。

11、矽片：用矽晶製成的圓片。矽片有多種尺寸，尺寸越大，產率越高。題外話，由於矽片是圓的，所以需要在矽片上剪一個缺口來確認矽片的座標系，根據缺口的形狀不同分為兩種，分別叫flat、 notch。

12、內部封閉框架、減振器：將工作臺與外部環境隔離，保持水平，減少外界振動干擾，並維持穩定的溫度、壓力。

參考資料來源：百度百科-光刻機

光刻機是幹什麼用的

光刻機是晶片製造流程中，光刻工藝的核心裝置。

光刻機（Mask Aligner），又名掩模對準曝光機、曝光系統、光刻系統等，是製造微機電、光電、二極體大規模積體電路的關鍵裝置。光刻機的主要效能指標有：支援基片的尺寸範圍，解析度、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產效率等。

其分為兩種，一種是模板與圖樣大小一致的contact aligner，曝光時模板緊貼晶圓；另一種是利用短波長鐳射和類似投影機原理的步進式光刻機（stepper）或掃描式光刻機（scanner），獲得比模板更小的曝光圖樣。

光刻機分類

光刻機一般根據操作的簡便性分為三種，手動、半自動、全自動。手動，指的是對準的調節方式，是通過手調旋鈕改變它的X軸，Y軸和thita角度來完成對準，對準精度可想而知不高了；半自動，指的是對準可以通過電動軸根據CCD的進行定位調諧；自動，指的是從基板的上載下載，曝光時長和迴圈都是通過程式控制，自動光刻機主要是滿足工廠對於處理量的需要。

接觸式曝光（Contact Printing）：掩膜板直接與光刻膠層接觸，曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形解析度相當，裝置簡單，接觸式，根據施加力量的方式不同又分為：軟接觸，硬接觸和真空接觸。

光刻機是什麼 光刻機簡述

1、光刻機（Mask Aligner) 又名：掩模對準曝光機，曝光系統，光刻系統等。常用的光刻機是掩膜對準光刻，所以叫 Mask Alignment System.

2、一般的光刻工藝要經歷矽片表面清洗烘乾、塗底、旋塗光刻膠、軟烘、對準曝光、後烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。

3、Photolithography（光刻） 意思是用光來製作一個圖形（工藝）；

4、在矽片表面勻膠，然後將掩模版上的圖形轉移光刻膠上的過程將器件或電路結構臨時“複製”到矽片上的過程。