ttl和cmos的區別

1、CMOS是場效電晶體構成(單極性電路)，TTL為雙極電晶體構成（雙極性電路）；

2、COMS的邏輯電平範圍比較大（5～15V），TTL只能在5V下工作； 

3、CMOS的高低電平之間相差比較大、抗干擾性強，TTL則相差小，抗干擾能力差；

4、CMOS功耗很小，TTL功耗較大（1～5mA/門）；

5、CMOS的工作頻率較TTL略低，但是高速CMOS速度與TTL差不多相當；

6、CMOS的噪聲容限比TTL噪聲容限大；

7、通常以為TTL門的速度高於“CMOS閘電路。影響 TTL閘電路工作速度的主要因素是電路內部管子的開關特性、電路結構及內部的各電阻阻數值。電阻數值越大，工作速度越低。