6gb和8gb有什麼區別

演示機型：蘋果xsmax系統版本：iOS12.46GB和8GB區別，6GB的手機後臺能夠執行，8到10個應用，而8G則可以帶動15個，尤其是在玩大型遊戲的時候，8GB記憶體能夠允許，在運行遊戲的同時，後臺還有比較空餘的空間。

6gb和8gb有什麼區別?

區別如下：

1、執行軟體數量不同

執行記憶體主要決定手機同時可執行的APP數量，比如6G手機可以在後臺執行8-10個，那麼8G手機則可以執行13-16個。

2、執行流暢度不同

8GB比6GB更為迅速地執行各個應用程式、更加迅捷地切換不同應用程式，同樣操作方式切換程式6g可能出現卡頓。尤其在進行遊戲的時候，如果後臺執行的應用過多，那麼6GB的執行記憶體進入遊戲是的速度肯定沒有8GB執行記憶體快。

優化執行記憶體進階

1、一些軟體可進行手動結束執行緒（程序）釋放記憶體。具體視系統和軟體而定。執行緒分兩種，一種是手機自帶的，一種是後來安裝的。非手機自帶都可以關閉。

2、手機自帶的程式，如果不清楚作用的話，最好不要隨便關閉，關閉後可能導致手機的部分功能不能使用或手機出錯重新啟動，因為系統自帶程式即使關閉後下次啟動還會執行，所以一般只在有特殊需要的時候才使用。

3、進入航空模式（飛航模式或者離線模式），這樣就關閉了通訊相關的執行緒，以獲得更大的執行記憶體。這也只是在有特殊需要的時候使用，比如需要玩一個執行記憶體要求非常高的遊戲。

手機運存的6GB與8GB，二者的區別大嗎？

“區別不大”，雖說一部分安卓手機的執行記憶體最大達12G及以上，但對大部分使用者而言，4G的運存充分滿足使用者的要求，而6G和8G記憶體是特意為一點職業玩家準備的，因為這類使用者喜愛運用手機玩遊戲，運存過低會影響到遊戲感受（別拿應用自啟動、佔據記憶體說事，這是應用的問題，與手機承載力沒有關係）。

手機6GB和8GB具體的區別是表現在手機後臺APP的數目有所不同，6G手機的後臺管理可以運轉8~10個應用，而8G則可以帶動15個應用。並且手機6GB和8GB的價位也是有所不同的，8GB運存的手機價格對比6GB記憶體的手機要貴一點。

記憶體越大能運轉的APP也就越多，相同條件下手機更為順暢。手機在開機運用後，APP自身便會佔據記憶體，伴隨著目前手機系統越升級越大，這導致APP自身佔據的記憶體也越來越大。

總而言之，6GB的運存對比8GB運存而言，只不過是多個任務水平稍弱。並且針對普通家庭使用者而言的話，6GB的記憶體是足夠的。而針對遊戲玩家而言的話，推薦選取8GB就可以了，因此在選取手機6GB和8GB時可以按照自身的要求做好選擇。

執行記憶體的英文簡稱是“RAM”，它的具體功能是為手機系統、運轉APP出示相對應的運轉區域，運轉記憶體空間越大，手機可運轉的APP數目就越多，運轉的效率就越來越快，而這也是為什麼遊戲使用者喜愛選取大運轉記憶體空間手機的具體因素。

因此，倘若僅僅是看硬體配置，推薦使用者首選8G運存的手機，但倘若財力不充裕，選購6G運存的手機同樣也可以，在其餘配置一樣的情形下，也僅僅是少運轉幾個APP，晚那麼十幾分秒的差別。

筆記本記憶體6G和8G有什麼差別

筆記本記憶體6G和8G區別：

1、效能：8g記憶體效能執行更快。遊戲和軟體的使用將更加順暢。

2、資料傳輸速度：8GB系統比6GB系統快，8g在資料傳輸上可以更快地儲存和傳輸資料。

3、記憶體使用率：當軟體頻繁開啟時，6G記憶體的使用率會增加，導致計算機執行緩慢。

擴充套件資料：

電腦記憶體分類：

1、SRAM：

SRAM（StaticRAM）意為靜態隨機儲存器。

SRAM資料不需要通過不斷地重新整理來儲存，因此速度比DRAM（動態隨機儲存器）快得多。

但是SRAM具有的缺點是：同容量相比DRAM需要非常多的電晶體，發熱量也非常大。因此SRAM難以成為大容量的主儲存器，通常只用在CPU、GPU中作為快取，容量也只有幾十K至幾十M。

2、RDRAM：

RDRAM是由RAMBUS公司推出的記憶體。

RDRAM記憶體條為16bit，但是相比同期的SDRAM具有更高的執行頻率，效能非常強。

然而它是一個非開放的技術，記憶體廠商需要向RAMBUS公司支付授權費。並且RAMBUS記憶體的另一大問題是不允許空通道的存在，必須成對使用，空閒的插槽必須使用終結器。

3、XDRRAM：

XDR記憶體是RDRAM的升級版。依舊由RAMBUS公司推出。XDR就是“eXtremeDataRate”的縮寫。

XDR依舊存在RDRAM不能大面普及的那些不足之處。因此，XDR記憶體的應用依舊非常有限。比較常見的只有索尼的PS3遊戲機。

4、Fe－RAM：

鐵電儲存器是一種在斷電時不會丟失內容的非易失儲存器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優點。

由於資料是通過鐵元素的磁性進行儲存，因此，鐵電儲存器無需不斷重新整理資料。其執行速度將會非常樂觀。而且它相比SRAM需要更少的電晶體。它被業界認為是SDRAM的最有可能的替代者。

參考資料：百度百科-記憶體