5奈米晶片和7奈米晶片的區別

5奈米晶片和7奈米晶片的區別在於在塞下同等數量電晶體的情況下，5奈米晶片的體積會比7奈米晶片更小。體積大的7奈米晶片，就會因為工藝的問題，導致原件的電容比較大，需要的電壓相較於5奈米晶片就更高，從而導致整體功耗變得更高。

2019年，全球首款5G SoC晶片海思麒麟990面世，採用了全球先進的7奈米工藝;64層3D NAND快閃記憶體晶片實現量產;中芯國際14奈米工藝量產。

在2020年的時間框架中，科技企業已經首次提出的5奈米晶片的製造。5奈米晶片操作工程的特點是，它使用的FinFET電晶體，節距為20奈米，而最緻密的金屬節距為30奈米。

在製造晶片時，納米制造操作越小，重要元件(電晶體)的尺寸就越小，使得晶片能夠將更多的元件裝入更小的外殼中。